恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑庆鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109755264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811325849.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制造方法是由郑庆鸿;张凯峯设计研发完成，并于2018-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。
本发明授权图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括：感光元件；存储元件，与所述感光元件相邻，且包括：存储节点；栅极介电层，位于所述存储节点上；存储栅极电极，位于所述栅极介电层上；刻蚀终止层，覆盖所述栅极介电层及所述存储栅极电极；屏蔽层，位于所述存储栅极电极上；以及保护层，夹置在所述刻蚀终止层与所述屏蔽层之间，其中所述保护层的顶表面共平面于所述屏蔽层的顶表面；以及驱动电路，与所述存储元件相邻。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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