恭喜三星电子株式会社崔珉准获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109962054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811215891.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置是由崔珉准;权杜原;金宽植;宋泰荣;尹惺铉设计研发完成，并于2018-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。
本发明授权具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：位于衬底上的层间绝缘层，位于所述衬底上的通孔插塞，所述通孔插塞形成为穿过所述层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的绝缘结构；以及位于所述通孔插塞一端和所述绝缘结构处的金属层，所述金属层连接到互连层，其中，包括一个或更多个分层结构的所述绝缘结构位于所述金属层下方，并且所述绝缘结构根据与所述金属层的位置关系而具有不同的分层结构，其中，所述绝缘结构在与所述金属层的外周间隔开的位置处包括数量比在与所述金属层的所述外周相邻的位置处更少的层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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