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龙图腾网恭喜北京中科海讯数字科技股份有限公司申请的专利一种多接口的高速VPX存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110879790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811033840.2，技术领域涉及：G06F13/10；该发明授权一种多接口的高速VPX存储装置是由程彩设计研发完成，并于2018-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多接口的高速VPX存储装置在说明书摘要公布了：本发明所要解决的技术问题是提供一种高速、支持多种主流VPX数据总线形式、可在不改变VPX架构机箱结构的情况下直接使用的存储板。本发明技术方案包括VPX接插件、接口扩展芯片、存储控制芯片、高速DDR缓存、SSD硬盘组外部系统数据通过VPX接插件与所述存储控制芯片、接口扩展芯片相连接，外部数据通过VPX接插件上的SRIO接口与以太网接口进入接口扩展芯片，通过VPX接插件上的1G以太网接口接入存储控制芯片，接口扩展芯片与VPX接插件连接，通过LVDS数据接口和存储控制芯片相连接，存储控制芯片与高速DDR缓存以及SSD硬盘组相连接。

本发明授权一种多接口的高速VPX存储装置在权利要求书中公布了：1.一种多接口的高速VPX存储装置，包括VPX接插件、接口扩展芯片、存储控制芯片、高速DDR缓存、SSD硬盘组；所述接口扩展芯片为一片XilinxXC7K325TFPGA芯片，所述接口扩展芯片包括连接所述VPX接插件的2路SRIO接口与2路10G以太网接口、连接所述存储控制芯片的LVDS数据接口和控制IO与缓存FIFO；所述存储控制芯片为一片XilinxXC7K325TFPGA芯片，所述存储控制芯片包括Microblaze控制器、数据缓冲队列、高速DMA通道、硬盘驱动程序、控制IO、LVDS数据接口以及SATA数据接口；通过所述Microblaze控制器管理所述SSD硬盘组、硬盘驱动程序与所述高速DDR缓存；LVDS数据接口采用FPGA的IO实现；外部数据通过所述VPX接插件上的2路SRIO接口与2路10G以太网接口进入所述接口扩展芯片；所述接口扩展芯片与VPX接插件连接；所述接口扩展芯片将从所述2路SRIO接口与2路10G以太网接口过来的数据送入缓冲FIFO；所述接口扩展芯片通过所述存储控制芯片通过所述控制IO传递过来的参数从包括2路SRIO接口与2路10G以太网接口的4路数据信号中选择两路数据，然后通过LVDS数据接口将选择的数据送给所述存储控制芯片；所述存储控制芯片与高速DDR缓存以及SSD硬盘组相连接；所述存储控制芯片的Microblaze控制器在所述存储控制芯片的LVDS数据接口与所述高速DDR缓存之间构建DMA通道，使LVDS数据接口接收到的数据直接存放到所述高速DDR缓存；所述Microblaze控制器也在所述高速DDR缓存与硬盘驱动程序之间构建DMA通道，使数据直接从所述高速DDR缓存写入所述SSD硬盘组；其中Microblaze控制器将所述存储控制芯片的LVDS数据接口在所述高速DDR缓存上的DMA接收地址与硬盘驱动程序的DMA发送地址设置为同一地址；所述存储控制芯片中的Microblaze控制器处理数据的具体方法为：Microblaze控制器不直接对数据进行读写操作，而是在LVDS数据接口与所述高速DDR缓存之间构建DMA通道，使LVDS数据接口接收到的数据直接存放到所述高速DDR缓存；同时，Microblaze控制器也在所述高速DDR缓存与硬盘驱动程序之间构建DMA通道，使数据可以直接从所述高速DDR缓存写入硬盘；在这里，Microblaze控制器将LVDS数据接口在所述高速DDR缓存上的DMA接收地址与硬盘驱动程序的DMA发送地址设置为同一地址，使LVDS数据接口接收到数据后Microblaze控制器可以立刻控制数据写入硬盘；通过VPX接插件上的1G以太网接口接入所述存储控制芯片，同所述存储控制芯片进行命令交互，以控制所述多接口的高速VPX存储装置的工作状态。

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