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龙图腾网恭喜信越化学工业株式会社申请的专利太阳能电池及太阳能电池模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110702706.2，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权太阳能电池及太阳能电池模组是由大塚宽之设计研发完成，并于2015-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及太阳能电池模组在说明书摘要公布了：一种太阳能电池，其具备P型硅基板，该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在该背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm与前述P型硅基板的电阻率Rsub满足由下式1表示的关系。一种太阳能电池及太阳能电池模组，所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板，在所述太阳能电池中，抑制电阻损失，转换效率优异，log10Rsub≤‑log10Prm+1.01。

本发明授权太阳能电池及太阳能电池模组在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具备：P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面；N型层，所述N型层形成于所述P型硅基板的所述受光面；受光面钝化膜；受光面电极，所述受光面电极与所述N型层电接触；以及所述P型硅基板的背面的背面钝化膜和背面电极，所述背面电极在多个接触区域与所述P型硅基板电接触，所述多个接触区域是未设置所述背面钝化膜的多个接触区域且为具有规定间距Prm[mm]的规定图案，所述P型硅基板掺有镓且由通过CZ法得到的晶棒制作而成，所述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]为0.2～2.5Ω·cm，设置于所述背面的所述多个接触区域的面积的总和为整个所述背面的20％以下，所述P型硅基板的厚度为100～200μm，所述多个接触区域形成有规则的图案，所述多个接触区域的间距Prm[mm]为0.1～10mm，规定所述间距Prm与所述P型硅基板的电阻率Rsub满足下述式，log10Rsub≤-log10Prm+1.0，将所述间距Prm设为横轴、将所述电阻率Rsub设为纵轴时，短路电流密度的平均值为37mAcm2以上，相对于所述电阻率Rsub的变化，所述短路电流密度的平均值的变化小，所述背面电极的电极宽度为15～100μm。

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