恭喜恩特格里斯公司孟双获国家专利权
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龙图腾网恭喜恩特格里斯公司申请的专利利用硼成核层的低温钼膜沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112041980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027078.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权利用硼成核层的低温钼膜沉积是由孟双;R·U·阿西翁;B·C·亨德里克斯;T·H·鲍姆设计研发完成，并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用硼成核层的低温钼膜沉积在说明书摘要公布了：本公开涉及一种利用硼成核层和钼成核层制造钼膜的方法。与不使用硼成核层或钼成核层的常规化学气相沉积工艺相比，所得钼膜具有低电阻率、基本上不含硼、并且可以在降低的温度下制造。通过此工艺形成的所述钼成核层可以保护衬底免受MoCl5或MoOCl4的刻蚀作用，有利于随后CVDMo生长在所述钼成核层顶上的成核，并使MoCVD能够在较低温度下进行。所述成核层也可用于控制随后CVDMo生长的晶粒大小，并因此控制Mo膜的电阻率。
本发明授权利用硼成核层的低温钼膜沉积在权利要求书中公布了：1.一种制造钼层的方法，所述方法包含：使衬底上的含硼成核层与包含含有钼原子和氯原子的分子的蒸气组合物发生反应，所述衬底的温度在450℃至550℃之间；所述反应消耗所述含硼成核层的至少一部分并在所述衬底顶上形成钼成核层，其中所述含硼成核层被所述反应消耗，使得通过元素分析，所述钼成核层包含少于5wt％的硼。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩特格里斯公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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