恭喜ASML荷兰有限公司D·德格拉夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜ASML荷兰有限公司申请的专利用于EUV光刻术的表膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112041743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980029381.7，技术领域涉及：G03F1/62；该发明授权用于EUV光刻术的表膜是由D·德格拉夫;R·博德里;M·比龙;保罗·詹森;T·卡特;K·科尔内森;M·A·J·库伊肯;J·H·W·昆特泽;S·马特尔;马克西姆·A·纳萨勒维奇;G·萨尔玛索;彼得-詹·范兹沃勒设计研发完成，并于2019-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于EUV光刻术的表膜在说明书摘要公布了：一种晶片，包括在一个面上的掩模和在相对面上的至少一个层，其中所述掩模包括至少一个划线，所述划线与所述相对面的实质上不含所描述的至少一个层的至少一部分叠置。还描述一种制备表膜的方法，包括以下步骤：提供晶片，所述晶片包括在一个面上的掩模和在相对面上的至少一个层；在所述掩模中限定划线；和选择性地去除所述至少一个层的一部分，所述部分至少部分地与所述划线叠置；以及一种制备表膜的方法，所述方法包括以下步骤：提供表膜芯部，和在非氧化环境中从所述表膜芯部的至少一个面去除至少一些材料。在任何方面中，所述表膜可以包括金属氮化物层。
本发明授权用于EUV光刻术的表膜在权利要求书中公布了：1.一种组件，包括晶片、设置在所述晶片的一个面上的掩模和设置在所述晶片的相对面上的至少一个层，其中所述掩模包括至少一个划线，所述划线被配置为描画从所述晶片产生的表膜的周边的轮廓，所述至少一个划线与实质上不含所述至少一个层的所述相对面的至少一部分叠置，使得当所述组件在所述至少一个划线和所述相对面的所述部分处分开时，在所述分开处的相邻的空的空间上实质上没有所述至少一个层的悬出部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人ASML荷兰有限公司，其通讯地址为：荷兰维德霍温；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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