买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111542917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880083706.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置是由川岛宽之设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：[问题]为了在保持机械强度和可靠性的同时减小半导体装置的布线间电容。[解决方案]一种半导体装置，其包括：多层布线层，在所述多层布线层中，多个层间膜和多个扩散防止膜交替地堆叠，并且在所述层间膜的内部形成有布线；接触过孔，所述接触过孔被形成为贯穿过孔绝缘层，并且被电连接至所述多层布线层的所述布线，所述过孔绝缘层被形成在所述多层布线层的一个表面上；通孔，所述通孔被形成为从所述多层布线层的与所述多层布线层的所述一个表面相反的一侧的另一表面贯穿所述层间膜和所述扩散防止膜中的至少一者；以及空隙，所述空隙被连接至所述通孔，并且被形成在至少一个所述层间膜中以露出所述接触过孔。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：多层布线层，在所述多层布线层中，多个层间膜和多个扩散防止膜交替地堆叠，并且在所述层间膜的内部形成有布线和贯通过孔；接触过孔，所述接触过孔被形成为贯穿过孔绝缘层，并且被电连接至所述多层布线层的所述布线，所述过孔绝缘层被形成在所述多层布线层的一个表面上；通孔，所述通孔被形成为从所述多层布线层的与所述多层布线层的所述一个表面相反的一侧的另一表面贯穿所述层间膜和所述扩散防止膜中的至少一者；以及空隙，所述空隙被连接至所述通孔，并且被形成在多个所述层间膜中以露出所述接触过孔，其中，在所述过孔绝缘层的与形成有所述多层布线层的表面相反的一侧的另一表面上还布置有半导体基板，在所述半导体基板中布置有光电二极管，所述空隙还被形成在与TG控制线接触的区域中，所述TG控制线被电连接至传输晶体管的栅极，所述传输晶体管控制从所述光电二极管读取信号电荷，并且所述接触过孔被电连接至所述传输晶体管的所述栅极，其中，所述接触过孔被形成为向布置于所述多层布线层的所述过孔绝缘层侧的所述层间膜的内部突出并接触所述层间膜中的布线，其中，形成有所述空隙的所述层间膜中的所述贯通过孔在所述空隙中露出，并且所述接触过孔、所述布线和所述贯通过孔连接成包围预定区域的壁，使得在所述半导体装置的面内方向上，形成所述空隙的区域限于所述预定区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。