恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910888436.1，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干相互分立的磁隧道结，且所述磁隧道结侧壁表面具有损伤层；在所述基底表面、磁隧道结顶部表面、以及损伤层顶部表面形成第一介质膜；形成所述第一介质膜之后，采用第一刻蚀工艺，去除所述损伤层。所述方法在去除损伤层的同时，能够提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上采用反应离子刻蚀或者离子束刻蚀形成若干相互分立的磁隧道结，且所述磁隧道结侧壁表面具有损伤层；在所述基底表面、磁隧道结顶部表面以及损伤层顶部表面形成第一介质膜，在形成所述第一介质膜的过程中，在所述损伤层侧壁表面形成第二介质膜；形成所述第一介质膜之后，采用第一刻蚀工艺，去除所述第二介质膜和所述损伤层，所述第一刻蚀工艺为离子束刻蚀，所述离子束刻蚀的工艺参数包括：采用的气体包括氩Ar、Ne或者Xe，时间为50秒~300秒，流量为5标准毫升分钟-200标准毫升分钟，所述离子束与基底表面的夹角范围为55度~88度，所述第一介质膜在垂直于基底表面方向上具有第一尺寸，所述第二介质膜在垂直于磁隧道结侧壁表面方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸以使所述第一刻蚀工艺停止于所述第一介质膜内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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