恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910728437.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件和制造方法是由李欣怡;李达元;苏庆煌设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，使用处理工艺以将硅引入p‑金属功函数层。通过将硅引入p‑金属功函数层，可以防止可能包括诸如铝之类的可扩散材料的随后沉积的层扩散通过p‑金属功函数层并影响器件的工作。
本发明授权半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体鳍上方沉积栅极电介质；在所述栅极电介质上方沉积第一p-金属功函数层；用含硅气体处理所述第一p-金属功函数层，其中，在所述处理之后，所述第一p-金属功函数层具有介于1％原子和20％原子之间的硅浓度；以及在所述第一p-金属功函数层上方沉积第一n-金属功函数层；其中，在沉积所述第一n-金属功函数层之后，铝的浓度梯度从所述第一n-金属功函数层延伸到所述第一p-金属功函数层，但在延伸到所述栅极电介质之前结束。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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