深圳新声半导体有限公司王小茹获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利谐振结构、声学谐振器、声学滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118100856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410465826.9，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权谐振结构、声学谐振器、声学滤波器是由王小茹;邹洁;冯端设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振结构、声学谐振器、声学滤波器在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开一种谐振结构，包括：压电层；上电极层，设置在压电层的一面；下电极层，设置在压电层的另一面；隔离环，将压电层处于有效工作区域的部分包围；有效工作区域为第一投影和第二投影的交叠区域；第一投影为上电极层在压电层上的正投影，第二投影为下电极层在压电层上的正投影。该谐振结构能够提升声学谐振器的品质因数。本申请还公开了一种声学谐振器和声学滤波器。
本发明授权谐振结构、声学谐振器、声学滤波器在权利要求书中公布了：1.一种谐振结构，其特征在于，包括：压电层；上电极层，设置在所述压电层的一面；下电极层，设置在所述压电层的另一面，并且所述下电极层的有效工作区域被配置为位于形成在声学谐振器的衬底中的空腔内，其中，所述衬底设置在所述谐振结构有下电极层的一侧；隔离环，将所述压电层处于有效工作区域的部分包围，所述隔离环的厚度和所述压电层的厚度相同，所述隔离环位于所述上电极层和所述下电极层之间；所述有效工作区域为第一投影和第二投影的交叠区域；所述第一投影为所述上电极层在所述压电层上的正投影，所述第二投影为所述下电极层在所述压电层上的正投影；所述隔离环通过以下方式制得：沿所述压电层的厚度方向对所述压电层进行刻蚀，在所述压电层上形成环状空隙，将绝缘材料填充该环状空隙，形成所述隔离环。
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