星钥(珠海)半导体有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥(珠海)半导体有限公司申请的专利用于制备薄膜层的装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222795702U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420738691.4，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型用于制备薄膜层的装置是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备薄膜层的装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于制备薄膜层的装置。所述用于制备薄膜层的装置包括多个腔室及成膜设备，所述多个腔室包括传递腔、成膜腔及退火腔，所述成膜设备位于所述成膜腔内；所述成膜腔与所述传递腔之间设有用于控制所述成膜腔与所述传递腔的连通状态的第一隔离部，所述退火腔与所述传递腔之间设有用于控制所述成膜腔与所述传递腔的连通状态的第二隔离部；所述用于制备薄膜层的装置设有与所述传递腔连通的气孔，以对所述传递腔内的气体进行置换。
本实用新型用于制备薄膜层的装置在权利要求书中公布了：1.一种用于制备薄膜层的装置，其特征在于，所述用于制备薄膜层的装置包括多个腔室及成膜设备，所述多个腔室包括传递腔、成膜腔及退火腔，所述成膜设备位于所述成膜腔内；所述成膜腔及所述退火腔分别位于所述传递腔的侧部；所述成膜腔与所述传递腔之间设有用于控制所述成膜腔与所述传递腔的连通状态的第一隔离部，所述退火腔与所述传递腔之间设有用于控制所述退火腔与所述传递腔的连通状态的第二隔离部；所述用于制备薄膜层的装置设有与所述传递腔连通的气孔，以对所述传递腔内的气体进行置换。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人星钥(珠海)半导体有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇湾创路58号5层505室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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