广东气派科技有限公司朱成昆获国家专利权
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龙图腾网获悉广东气派科技有限公司申请的专利一种MOSFET的TOLT封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222801801U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420649677.7，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型一种MOSFET的TOLT封装结构是由朱成昆;蔡择贤;任勇军;孙巧玉;谭姗姗;文建军;李波;胡江春设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET的TOLT封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种MOSFET的TOLT封装结构，其包括：MOSFET芯片、包覆所述MOSFET芯片的塑封体和设置于所述塑封体顶部的散热板、设置于所述塑封体一侧且与所述散热板相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚的宽度与所述散热板的宽度相当，所述栅极引脚和所述源极引脚通过一个间隙分隔开，所述栅极引脚的宽度小于所述源极引脚，且所述栅极引脚、所述源极引脚与所述间隙的宽度之和与所述散热板的宽度相当。采用实用新型的技术方案，可以提高MOSFET的TOLT封装结构的散热效果。
本实用新型一种MOSFET的TOLT封装结构在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET的TOLT封装结构，其特征在于，包括：MOSFET芯片、包覆所述MOSFET芯片的塑封体和设置于所述塑封体顶部的散热板、设置于所述塑封体一侧且与所述散热板相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚的宽度与所述散热板的宽度相当，所述栅极引脚和所述源极引脚通过一个间隙分隔开，所述栅极引脚的宽度小于所述源极引脚，且所述栅极引脚、所述源极引脚与所述间隙的宽度之和与所述散热板的宽度相当。
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