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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222803331U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420638283.1，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型太阳能电池是由侯承利;孟子博;霍亭亭;李宏伟;杨广涛;陈达明设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池，包括：半导体基片，具有第一导电类型；第一电池结构，包括隧穿介质层与掺杂多晶硅层，隧穿介质层位于半导体基片的背光表面，掺杂多晶硅层具有第一导电类型；第一钝化结构，位于掺杂多晶硅层表面且覆盖第一电池结构的第一侧面；第二电池结构，包括依次设置的本征非晶硅层、第二导电类型掺杂层以及透明导电膜层，且第二电池结构由半导体基片的背光表面沿着第一电池结构的第二侧面，延伸至第一钝化结构远离第一电池结构的部分表面，第二侧面与第一侧面相对设置；第一栅线，贯穿第一钝化结构而延伸至掺杂多晶硅层；第二栅线，位于透明导电膜层远离第二导电类型掺杂层的表面。本申请可以有效提高太阳能电池性能。

本实用新型太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基片，具有第一导电类型，且设有相对设置的入光表面与背光表面；第一电池结构，包括隧穿介质层与掺杂多晶硅层，所述隧穿介质层位于所述半导体基片的背光表面，所述掺杂多晶硅层具有所述第一导电类型，且位于所述隧穿介质层远离所述半导体基片的表面；第一钝化结构，位于所述掺杂多晶硅层远离所述隧穿介质层的表面，且覆盖所述第一电池结构的第一侧面；第二电池结构，包括由靠近所述半导体基片至远离所述半导体基片的方向上依次设置的本征非晶硅层、第二导电类型掺杂层以及透明导电膜层，且所述第二电池结构由所述半导体基片的背光表面沿着所述第一电池结构的第二侧面，延伸至所述第一钝化结构远离所述第一电池结构的部分表面，所述第二侧面与所述第一侧面相对设置，且所述第二导电类型与所述第一导电类型中的其中一者为P型，另一者为N型；第一栅线，贯穿所述第一钝化结构而延伸至所述掺杂多晶硅层；第二栅线，位于所述透明导电膜层远离所述第二导电类型掺杂层的表面。

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