恭喜浙江大学;斯达半导体股份有限公司盛况获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学;斯达半导体股份有限公司申请的专利一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410307432.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法是由盛况;王珩宇;周学磊;沈华;刘志红设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，漂移区结构与栅极结构部分接触设置，漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且栅极结构与载流子储存层部分接触设置，栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，解决了现有IGBT器件无法实现提高电导调制效应的同时，降低器件关断损耗的问题。
本发明授权一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结IGBT半元胞结构，其特征在于，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，所述发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的所述发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，所述漂移区结构与栅极结构部分接触设置，所述漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且所述栅极结构与载流子储存层部分接触设置，所述栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，所述空穴通道区位于栅极结构的拐角部分位置，所述载流子储存层的掺杂浓度低于空穴通道区的掺杂浓度，所述载流子储存层与空穴通道区为相反的导电类型半导体，所述载流子储存层的掺杂浓度为2×e16cm-3~6×e16cm-3；所述空穴通道区的掺杂浓度为7×e16cm-3~5×e17cm-3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;斯达半导体股份有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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