恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司黄兴杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利氮化物半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222803313U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420524705.2，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型氮化物半导体器件是由黄兴杰;赵杰;尹杰;陈扶设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氮化物半导体器件。本申请通过在源、漏极和栅极之间设置钝化层，即将等离子体注入离子注入区内，使等离子体和离子注入区内的帽层中的杂质形成络合物，以改变帽层的掺杂状态和电学性质，影响其导电性能和载流子浓度，以实现对帽层的钝化。此种设置能够减少由于传统刻蚀技术所带来的界面态的问题，提高材料的质量和稳定性。还能够减小栅极泄露电路，增加栅极击穿电压的效果，提高器件和性能和可靠性。
本实用新型氮化物半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底、沟道层、势垒层和半导体层；所述半导体层包括栅极区、离子注入区、第一电极区和第二电极区，所述栅极区与所述离子注入区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述栅极区内自下而上设置有帽层、第一缓冲层和栅极层；所述离子注入区内包括钝化层，所述钝化层为所述帽层的杂质与注入的氢等离子体相结合形成；所述第一电极区和第二电极区位于所述势垒层上表面的两端，所述第一电极区内设置有源电极，所述第二电极区内设置有漏电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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