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龙图腾网恭喜无锡学院申请的专利一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310531779.9，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法是由黄瑞;阚万誉;唐明志;李晖;王青;郭业才设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。

本发明授权一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片散热结构，其特征在于，所述芯片散热结构的制备方法包括如下步骤：S1.制作外延片器件层前体；所述外延片器件层前体包括N型衬底和外延片器件层；S2.在外延片器件层上表面沉积一层保护层（11）；S3.保护层（11）沉积完毕后，通过离子注入法经保护层（11）向外延片器件层前体的N型衬底（1）中注入H离子形成离子注入损伤层（12）；S4.离子注入损伤层（12）形成后，将保护层（11）通过缓释氧化物蚀刻剂腐蚀去除，并对外延片器件层表面进行抛光，抛光后的粗糙度降低至小于0.5nm；通过表面活化键合技术将外延片器件层前体键合至P型衬底（13）上得到键合对；S5.将键合对进行热退火使离子注入损伤层（12）剥离；剥离后，通过飞秒激光辐照对键合界面的晶格缺陷进行修复；所述热退火的温度为200～500℃，温升速率为1～20℃min，热退火的时间为1～24小时；所述飞秒激光辐照的中心波长为800~1600nm，脉冲宽度为10~600fs，输出功率为0.1~100W；S6.飞秒激光辐照结束后，进行台面刻蚀，刻蚀完毕后，利用磁控溅射制作P面电极（14）和N面电极（15）；所述P型衬底（13）包括碳化硅衬底或金刚石衬底或金属铜衬底。

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