恭喜北京市科学技术研究院请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京市科学技术研究院申请的专利一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115961263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211721678.X，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，包括依次连通的引出筒、加速筒、阳极筒、引出通道和真空室，引出筒上设置有离子源弧头，进气管与引出通道连通，离子源弧头用于发射离子束，进气管用于通入易失电子的气体，真空室内设置有旋转冷辊，旋转冷辊的表面用于沉积聚合物膜层。本发明解决了现有高能离子束处理聚合物等绝缘基体易发生电荷积累、打火放电聚合物不会受到电损伤等问题；在高能离子束产生装置和聚合物基体之间设置了一个中和和产生电子通道，保证了能够及时中和聚合物表面积累的电荷，防止发生打火损伤基体；聚合物沉积金属膜层致密性好，膜层无明显缺陷，膜基结合强度高。
本发明授权一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：包括依次连通的引出筒、加速筒、阳极筒、引出通道和真空室，所述引出筒上设置有离子源弧头，进气管与所述引出通道连通，所述离子源弧头用于发射离子束，所述进气管通入的气体为Ar或Kr，所述真空室内设置有旋转冷辊，所述旋转冷辊的表面用于沉积聚合物膜层；所述引出通道与真空室的连接处设置有挡板，所述引出通道的材料为高电子发射率材料，所述高电子发射率材料为Ni或Fe。
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