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恭喜北京士模微电子有限责任公司韩书光获国家专利权

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龙图腾网恭喜北京士模微电子有限责任公司申请的专利一种电压预调整电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116225116B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211720521.5,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种电压预调整电路是由韩书光;范明浩设计研发完成,并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种电压预调整电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种电压预调整电路,包括第一电阻R0,与第一电阻R0串联的齐纳二极管D0,G极与齐纳二极管D0负极相连的第一MOS管M0,基极与齐纳二极管D0负极相连的三极管Q0,与齐纳二极管D0正极、三极管Q0发射极相连的第一电流镜,与第一电阻R0、第一MOS管M0D极相连的第二电流镜,G极和S极与第一电流镜相连且D极与第二电流镜相连的第二MOS管M3和与第二电流镜相连的并联设置的电容C0、源极跟随器。本发明所述的一种电压预调整电路,不需要使用比较器和额外的带隙基准电路,极大地简化了电路,节省了芯片功耗和面积。

本发明授权一种电压预调整电路在权利要求书中公布了:1.一种电压预调整电路,其特征在于:包括第一电阻R0,与所述第一电阻R0串联的齐纳二极管D0,G极与所述齐纳二极管D0负极相连的第一MOS管M0,基极与所述齐纳二极管D0负极相连的三极管Q0,与所述齐纳二极管D0正极、所述三极管Q0发射极相连的第一电流镜,与所述第一电阻R0、所述第一MOS管M0D极相连的第二电流镜,G极和S极与所述第一电流镜相连且D极与所述第二电流镜相连的第二MOS管M3和与所述第二电流镜相连的并联设置的电容C0、源极跟随器;所述第一MOS管M0的S极与所述三极管Q0的集电极相连;所述电容C0与所述齐纳二极管D0的正极相连;所述源极跟随器的两端分别与所述第一电阻R0和所述齐纳二极管D0的正极相连;所述第一电流镜包括第二电阻R1、第三MOS管M1和第四MOS管M2;所述第二电阻R1一端与所述三极管Q0的发射极、所述第二MOS管M3的G极相连,所述第二电阻R1的另一端与所述第三MOS管M1的G极与D极、所述第四MOS管M2的G极相连;所述第三MOS管M1的S极与所述第四MOS管M2的S极、所述齐纳二极管D0的正极、所述第二电流镜、所述电容C0和所述源极跟随器相连;所述第四MOS管M2的S极与所述第三MOS管M1的S极、所述齐纳二极管D0的正极、所述第二电流镜、所述电容C0和所述源极跟随器相连,所述第四MOS管M2的D极与所述第二电流镜相连;第二电流镜包括第三电阻R2、第五MOS管M4和第六MOS管M5;所述第三电阻R2一端与所述齐纳二极管D0的正极、所述第一电流镜、所述电容C0和所述源极跟随器相连,所述第三电阻R2的另一端与所述第六MOS管M5的D极、所述电容C0和所述源极跟随器相连;所述第五MOS管M4的D极与所述第二MOS管M3的D极、所述第六MOS管M5的G极相连,所述第五MOS管M4的G极与所述第六MOS管M5的G极相连,所述第五MOS管M4的S极与所述第六MOS管M5的S极、所述第一MOS管M0的D极、所述第一电阻R0和所述源极跟随器相连;所述第六MOS管M5的S极与所述第五MOS管M4的S极、所述第一MOS管M0的D极、所述第一电阻R0和所述源极跟随器相连;所述源极跟随器包括第七MOS管M6和电流源I0,所述第七MOS管M6的G极与所述第二电流镜、所述电容C0相连,所述第七MOS管M6的D极与所述第二电流镜、所述第一MOS管M0的D极和所述第一电阻R0相连,所述第七MOS管M6的S极与所述电流源I0输入端相连;所述电流源I0的输出端与所述齐纳二极管D0的正极、所述第一电流镜、所述第二电流镜和所述电容C0相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京士模微电子有限责任公司,其通讯地址为:100083 北京市海淀区王庄路1号院同方科技大厦D座22层2211-1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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