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龙图腾网恭喜兰州空间技术物理研究所申请的专利一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116180011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211672969.4，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层及制备方法是由贵宾华;杨拉毛草;周晖;马占吉;张延帅;冯兴国;汪科良;郑玉刚;蒋钊设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层及制备方法，本发明属于轻质合金结构部件表面真空镀膜改性领域。本发明涉及一种轻质合金表面纳米复合多层CrCrNCrSiN耐蚀涂层低温制备方法，具体是采用独特的同步HiPIMS脉冲偏压技术，利用HiPIMS技术高的金属靶材离化率与基体偏压鞘层针对沉积离子束流选择性增能的协同耦合效应实现在轻质合金结构件表面制备纳米复合多层CrCrNCrSiN耐腐蚀涂层。

本发明授权一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种轻质合金构件表面纳米多层耐蚀涂层，其特征在于，所述涂层由依次附着在轻质合金基体1表面的铬Cr过渡层2、氮化铬CrN性能承载层3以及氮化铬硅CrSiN核心防护功能层4；所述铬Cr过渡层2为基于同步HiPIMS脉冲偏压下的低温沉积铬Cr层；所述氮化铬CrN性能承载层3为基于同步HiPIMS脉冲偏压下的低温沉积氮化铬CrN层；所述氮化铬硅CrSiN核心防护功能层4为基于同步HiPIMS脉冲偏压下的低温沉积氮化铬硅CrSiN层；所述同步HiPIMS脉冲偏压具体为：采用HiPIMS技术进行沉积的过程中，采用与溅射阴极HiPIMS放电波形同步的脉冲偏压放电模式，通过建立溅射阴极电源与基体偏压电源间交互通讯，将基体加速偏压脉冲与阴极HiPIMS脉冲放电进行同步匹配性设置；所述铬Cr过渡层2为的沉积温度低于150℃，厚度为200nm～250nm；所述氮化铬CrN性能承载层3的沉积温度低于150℃，厚度为1μm～2μm，成分为：Cr的原子百分比为45％～55％，N的原子百分比为45％～55％；所述氮化铬硅CrSiN核心防护功能层4的沉积温度低于150℃，厚度为5μm～8μm，成分为：Si的原子百分比为5％～10％，Cr的原子百分比为45％～50％，N的原子百分比为40％～45％。

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