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龙图腾网恭喜陕西光电子先导院科技有限公司申请的专利快速验证VCSEL外延片的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116131098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211654729.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权快速验证VCSEL外延片的工艺方法是由赵涛;付鹏;赵恒;杨女燕;张文设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本快速验证VCSEL外延片的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了快速验证VCSEL外延片的工艺方法，具体为：在外延片正面沉积一层钝化层，进行正面第一道MESA光刻，形成MESA图层，然后使用ICP蚀刻机进行蚀刻，露出高铝层，再进行湿法氧化；然后进行第二道光刻，露出15‑25微米的圆环，圆环内径区域是出光口，使光刻的形貌为下面宽上面窄，最后再进行ICP蚀刻，蚀刻掉钝化层，蚀刻到外延片的P型欧姆接触层,完成后蒸镀金属、退火处理，此时正面与背面形成比较好的欧姆接触。本发明方法快速验证所购买的外延片的质量，节约验证时间与成本；芯片厂的快速验证的电性数据反馈给外延厂，外延厂能快速的优化外延结构，缩短产品的研发周期，提升外延厂的产品竞争力。

本发明授权快速验证VCSEL外延片的工艺方法在权利要求书中公布了：1.快速验证VCSEL外延片的工艺方法，其特征在于，具体操作步骤如下：步骤1、利用清洗溶液对外延片进行清洗，所述外延片结构从下到上依次为：衬底、缓冲层、N型掺杂的DBR层、量子阱、高铝层、P型掺杂DBR层和欧姆接触层；步骤2：将步骤1清洗后的外延片置于PECVD机台中，在所述外延片正面沉积一层钝化层，所述钝化层为Si3N4或者SiO2薄膜；步骤3：将步骤2处理后的外延片进行正面第一道MESA光刻，在光刻胶层上形成MESA图层，然后使用ICP蚀刻机进行蚀刻，蚀刻出MESA台面，露出高铝层，然后进行去胶清洗处理，清洗干净；步骤4：将步骤3清洗后的外延片放置于湿法氧化炉设备中进行湿法氧化；步骤5：将步骤4处理后的外延片进行第二道光刻，使用涂LOR胶与正性光刻胶或者负性光刻胶搭配使用，光刻出15-25微米的圆环，圆环内径区域是出光口，使光刻的形貌为下面宽上面窄；步骤6：将步骤5光刻后的外延片进行ICP蚀刻，蚀刻掉钝化层，蚀刻到外延片的P型欧姆接触层,从ICP蚀刻机台取出后，放入酸性液体里面进行清洁，清洗后的外延片放入蒸镀机台，正面蒸镀金属TiPtAu；正面金属蒸镀结束后，进行背面金属蒸镀NiGeAu，蒸镀结束后去胶清洗；步骤7：完成步骤6后，将外延片放置快速退火炉中，进行退火处理，此时正面与背面形成欧姆接触；步骤8：完成步骤7后，对此外延结构的晶圆进行电性测试，获得该外延片的电性数据。

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