恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司孙承啸获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利减反膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211504467.0，技术领域涉及：G02B1/118；该发明授权减反膜及其制备方法是由孙承啸设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本减反膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种减反膜及其制备方法，该减反膜包括基底、微结构层，微结构层设置于基底上，微结构层包括多个相互间隔设置的微结构，相邻微结构之间设置有凹孔，其中，凹孔的孔径及深度的范围为20nm至300nm；通过将凹孔的孔径及深度均设置为小于光波长，使光波无法识别微结构，于是折射率沿微结构垂直方向呈现梯度变化，形成折射率过渡层，从而减少折射率急剧变化所造成的反射现象，缓解了现有显示装置存在环境对比度低的技术问题。
本发明授权减反膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种减反膜制备方法，其特征在于，包括：在第一溶剂中加入苯乙烯单体、引发剂、乳化剂，搅拌制备得到包含聚合物微球的第一分散液，所述聚合物微球的粒径范围为50nm至300nm；在所述第一分散液中加入硅酸四乙酯，水解制备得到无机颗粒，形成包含聚合物微球与无机颗粒的第二分散液，所述聚合物微球与无机颗粒含量比为0.75；提供一基底；将所述第二分散液沉积在所述基底表面，所述无机颗粒形成多个微结构，所述微结构与所述聚合物微球相互间隔设置，使用刻蚀液对所述基底表面进行冲洗，使所述聚合物微球溶解，在相邻所述微结构之间形成凹孔，制备得到减反膜，所述减反膜的表面反射率为0.78％，所述微结构包括无机颗粒和折射率调节粒子。
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