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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115562423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348077.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器是由李玮鑫;刘斌;张志浩;章国豪设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器在说明书摘要公布了：本发明针对现有技术的局限性，提供了一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明的方案在误差放大器和功率管之间添加了一个采用ClassAB型结构作为快速瞬态响应环路的瞬态增强电路，减轻了负载电容，也减少了版图面积，提高了利用率；并通过增加米勒电容进行环路补偿产生一个主极点；能够在负载突变时快速稳定输出电压，同时获得较高的增益和较好的相位裕度，实现较低的功耗。当负载在1us内、0～50mA跳变时，在不同工艺角下，过冲与欠冲均在113mV以内，响应时间均在1.13us以内。

本发明授权一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器，包括误差放大器EA、功率管以及反馈电路，其特征在于，还包括带隙基准Bandgap以及瞬态增强电路Enhancementcircuit；所述瞬态增强电路Enhancementcircuit为采用ClassAB型结构的快速瞬态响应环路；所述功率管为MOS驱动管MP，所述MOS驱动管MP通过增加米勒电容进行环路补偿，在所述瞬态增强电路Enhancementcircuit中产生一个主极点；其中：输入电压VIN分别连接所述带隙基准Bandgap的输入端以及所述MOS驱动管MP的漏极；所述带隙基准Bandgap通过连接所述误差放大器EA的反相输入端向所述误差放大器EA提供所述带隙基准Bandgap产生的基准电压VREF；所述误差放大器EA的正相输入端连接所述反馈电路，所述误差放大器EA的输出端连接所述MOS驱动管MP的栅极以及所述瞬态增强电路Enhancementcircuit的一端；所述瞬态增强电路Enhancementcircuit的另一端连接所述反馈电路、所述MOS驱动管MP的源极以及输出电压VOUT；所述反馈电路接地；所述瞬态增强电路Enhancementcircuit包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R3、电阻R4、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18、晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21以及晶体管M22；其中：所述电容C1的一端连接输出电压VOUT，另一端连接所述电阻R3的一端以及所述晶体管M15的栅极；所述晶体管M15的漏极连接电压VDD，所述晶体管M15的源极连接所述电阻R3的另一端、所述晶体管M16的栅极以及晶体管M18的漏极；所述晶体管M16的漏极连接电压VDD，所述晶体管M16的源极连接所述MOS驱动管MP的栅极VG以及所述晶体管M22的漏极；所述电容C2的一端连接输出电压VOUT，另一端连接所述晶体管M17的栅极以及所述晶体管M18的栅极；偏置电流源IB连接所述晶体管M17的漏极，所述晶体管M17的源极接地；所述晶体管M18的源极接地；所述电容C3的一端连接输出电压VOUT，另一端连接所述晶体管M19的栅极以及所述晶体管M20的栅极；所述晶体管M19的漏极接地，所述晶体管M19的源极连接偏置电流源IB；所述晶体管M20的漏极接地；所述电容C4的一端连接输出电压VOUT，另一端连接所述电阻R4的一端以及所述晶体管M21的栅极；所述电阻R4的另一端连接所述晶体管M20的源极、所述晶体管M21的漏极以及所述晶体管M22的栅极；所述晶体管M21的源极接地；所述晶体管M22的源极接地。

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