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龙图腾网恭喜慧与发展有限责任合伙企业申请的专利相位调谐的宇称时间对称定向耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117289494B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311446.7，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权相位调谐的宇称时间对称定向耦合器是由S·张;G·库兹韦尔;袁源;肖贤;R·G·博索莱伊设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本相位调谐的宇称时间对称定向耦合器在说明书摘要公布了：本公开涉及相位调谐的宇称时间对称定向耦合器。本文公开的实施方式提供了用于通过改进的相位调谐以及单独的光增益和光损耗调谐来获得宇称时间PT对称定向耦合器的设备和方法。本公开将相位调谐和光增益损耗调谐结构集成到本文公开的定向耦合器的波导中。在一些示例中，本文公开的定向耦合器集成了由两个半导体层之间的电介质层形成的并且根据电压偏压极性通过等离子体色散和或载流子累积来提供相位调谐的一个或多个混合金属氧化物半导体电容器MOSCAP，以及根据电压偏压极性来提供光增益或损耗调谐的一个或多个光学活性介质。

本发明授权相位调谐的宇称时间对称定向耦合器在权利要求书中公布了：1.一种定向耦合器，包括：第一硅层，所述第一硅层设置在掩埋氧化物BOX层上方，其中，所述第一硅层包括：第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一沟槽，第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二沟槽，第一间隙区，所述第一间隙区设置在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；第一氧化物层，所述第一氧化物层设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上方；第一台面，所述第一台面设置在所述第一硅层的所述第一掺杂区上，其中，所述第一台面包括：第一III-V族层，所述第一III-V族层设置在所述第一氧化物层上方；第一光学活性区，所述第一光学活性区设置在所述第一III-V族层上方；以及第二III-V族层，所述第二III-V族层设置在所述第一光学活性区上方；以及第二台面，所述第二台面设置在所述第一硅层的所述第二掺杂区上，其中，所述第二台面包括：第三III-V族层，所述第三III-V族层设置在所述第一氧化物层上方；第二光学活性区，所述第二光学活性区设置在所述第三III-V族层上方；以及第四III-V族层，所述第四III-V族层设置在所述第二光学活性区上方。

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