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龙图腾网恭喜昇澜半导体(常州)有限公司申请的专利半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211254821.9，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统是由刘悦;赵玉垚;马有草;王浩沣设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统，待测样品包括基底及设置在所述基底表面的半导体薄膜，所述方法包括：入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点，获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数，所述光学参数包括所述半导体薄膜的折射率及消光系数和或待测样品的曲率半径；以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜的测量参数，所述测量参数包括半导体薄膜的相对介电常数、压电系数、厚度及应力；重复上述步骤，获得多个测量点的所述测量参数；对多个测量点的同一所述测量参数进行均匀性评价。本发明方法能够实现无损测量，且获得的测量参数不单一，满足多样化需求。

本发明授权半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄膜均匀性无损检测方法，其特征在于，待测样品包括基底及设置在所述基底表面的半导体薄膜，所述方法包括：入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点，获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数，所述光学参数包括所述半导体薄膜的折射率及消光系数和或待测样品的曲率半径；以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜的测量参数，所述测量参数包括半导体薄膜的相对介电常数、压电系数、厚度及应力；重复上述步骤，获得多个测量点的所述测量参数；对多个测量点的同一所述测量参数进行均匀性评价，入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点，获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数的步骤中，入射光的频率范围为第一频率，在所述第一频率下所述半导体薄膜的相对介电常数取决于电子极化；所述物理模型包括第一相对介电常数模型及第二相对介电常数模型，所述以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜相对介电常数的方法包括：根据第一相对介电常数模型获得所述半导体薄膜在所述第一频率下的相对介电常数ε1，所述第一相对介电常数模型包括如下公式：ε1＝n2-k2其中，n是所述半导体薄膜的折射率，k是所述半导体薄膜的消光系数；以与所述第一频率对应的相对介电常数作为已知参数，应用多个第二相对介电常数模型分别拟合获得所述半导体薄膜在第二频率下的多个相对介电常数，所述第二频率小于所述第一频率；采用第二评价函数评价所述第二相对介电常数模型的准确度，选择符合预设标准的所述第二相对介电常数模型拟合获得的相对介电常数作为所述半导体薄膜在所述第二频率下的相对介电常数，所述第二相对介电常数模型包括半量子模型、弛豫振荡模型、德拜弛豫模型、阻尼谐振子模型及赝谐波模型中的至少两种，以与入射光频率对应的相对介电常数作为已知参数，应用多个第二相对介电常数模型分别拟合获得所述半导体薄膜在第二频率下的多个相对介电常数的步骤包括：以与所述第一频率对应的相对介电常数作为已知参数，应用每一个所述第二相对介电常数模型获取所述半导体薄膜在第一子频率下的相对介电常数，在所述第一子频率下所述半导体薄膜的相对介电常数取决于离子极化和电子极化；以与所述第一子频率对应的相对介电常数作为已知参数，应用每一个所述第二相对介电常数模型获取所述半导体薄膜在第二子频率下的相对介电常数，在所述第二子频率下所述半导体薄膜的相对介电常数取决于偶离子极化、离子极化和电子极化；以与所述第二子频率对应的相对介电常数作为已知参数，应用每一个所述第二相对介电常数模型获取所述半导体薄膜在第二频率下的相对介电常数，其中，所述第二频率小于所述第二子频率，所述第二子频率小于所述第一子频率，所述第一子频率小于所述第一频率，在所述第二频率下所述半导体薄膜的相对介电常数取决于空间电荷极化、偶离子极化、离子极化和电子极化，第二评价函数包括平均绝对误差函数或决定系数函数，选择符合预设标准的所述第二相对介电常数模型拟合获得的相对介电常数作为所述半导体薄膜在所述第二频率下的相对介电常数的步骤包括：应用平均绝对误差函数或决定系数函数计算每一所述第二相对介电常数模型的平均绝对误差或决定系数；将最小平均绝对误差或者最大决定系数对应的第二相对介电常数模型拟合获得的相对介电常数作为半导体薄膜的相对介电常数，重复上述步骤，获得多个测量点的所述测量参数的步骤中，直接采用符合预设标准的所述第二相对介电常数模型拟合获得多个测量点的相对介电常数，所述方法还包括以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜介电损耗，包括：应用如下公式获得半导体薄膜介电损耗ε2：ε2＝2nk其中，n是所述半导体薄膜的折射率，k是所述半导体薄膜的消光系数，所述物理模型包括压电系数模型，所述以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜压电系数的方法包括：采用压电系数模型获得所述半导体薄膜的压电系数d33，所述压电系数模型包括如下公式：d33＝2Q33ε0εrPs其中，Q33是半导体薄膜的电致伸缩系数，ε0是半导体薄膜的真空相对介电常数，εr是半导体薄膜的相对介电常数，Ps是半导体薄膜的自发极化。

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