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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211208249.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板是由请求不公布姓名;张鹏设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括基板、有源部、栅极、栅极绝缘部、源极和漏极，设置于基板上的有源部包括同层且连接的半导体部、第一导体部和第二导体部，第一导体部和第二导体部设置于半导体部的两侧；栅极绝缘部设置于栅极与有源部之间，栅极与半导体部对应设置，栅极包括相对的第一端和第二端，第一端和第二端分别位于栅极靠近第一导体部和第二导体部的两侧上；栅极的端部与栅极绝缘部的端部以及半导体部的端部均不重合；源极与漏极同层且间隔设置，源极与第一导体部连接，漏极与第二导体部连接；第一端到第一导体部的距离小于第二端到第二导体部的距离，可以降低薄膜晶体管的翘曲效应。

本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；有源部，设置于所述基板上，所述有源部包括连接且同层设置的半导体部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部和所述第二导体部设置于所述半导体部的相对两侧；栅极，设置于所述有源部的一侧，且与所述半导体部对应设置，所述栅极在所述基板上的正投影的边缘位于所述半导体部在所述基板上的正投影内，所述栅极包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端位于所述栅极靠近所述第一导体部的一侧，所述第二端位于所述栅极靠近所述第二导体部的一侧；栅极绝缘部，设置于所述有源部与所述栅极之间，且与所述半导体部对应设置，所述栅极在所述基板上的正投影的边缘位于所述栅极绝缘部在所述基板上的正投影内；以及源极和漏极，所述源极与所述漏极同层且间隔设置，所述源极与所述第一导体部连接，所述漏极与所述第二导体部连接；其中，所述第一端在所述基板上的正投影的边缘到所述第一导体部在所述基板上的正投影的边缘的距离小于所述第二端在所述基板上的正投影的边缘到所述第二导体部在所述基板上的正投影的边缘的距离；所述半导体部包括连接且同层设置的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分远离所述第二导体部的一侧，所述第一部分与所述栅极以及所述栅极绝缘部对应设置，所述第二部分与所述栅极错开设置，当所述薄膜晶体管工作时，所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻。

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