买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利制程微缩的版图结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048471.0，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权制程微缩的版图结构及其设计方法是由黄召颖;陈俊晟;赖振安设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本制程微缩的版图结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制程微缩的版图结构，包括：原始版图，原始版图包括Fin图层、mandrel图层；Fin图层包括多个依次分布的Fin图形，其中部分两Fin图形间的距离为第一尺寸，另一部分两Fin图形间的距离为第二尺寸；mandrel图层包括多个mandrel图形，对应两距离为第一尺寸的Fin图形间设有线宽为第三尺寸的mandrel图形，mandrel图形间的距离为第四尺寸，第三尺寸大于第一尺寸，第四尺寸大于第二尺寸。本发明改变cell版图来避开小Mandrel的制程挑战解决98%制程微缩的需求；cell内不存在伪栅,因此可省去FineCut,可同时解决fin残留问题及fin损伤的风险；在早期TestVehicle验证阶段解决工艺上的挑战,避免客户加工时遭遇到良率提升的困难。

本发明授权制程微缩的版图结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种制程微缩的版图结构，其特征在于，包括：原始版图，所述原始版图包括Fin图层、mandrel图层；所述Fin图层包括多个依次分布的Fin图形，其中部分两所述Fin图形间的距离为第一尺寸，另一部分两所述Fin图形间的距离为第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；所述mandrel图层包括多个mandrel图形，对应两距离为所述第一尺寸的所述Fin图形间设有线宽为第三尺寸的所述mandrel图形，所述mandrel图形间的距离为第四尺寸，所述第三尺寸大于所述第一尺寸，所述第四尺寸大于所述第二尺寸；其中，所述mandrel图形用于转至晶圆上的牺牲层形成mandrel结构，进而在所述mandrel结构侧壁形成侧墙，之后通过去除所述mandrel结构，以所述侧墙为掩膜刻蚀形成Fin结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。