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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种基于FTO/TiO₂：PEO/MAPbCl₃异质结的紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211039175.4，技术领域涉及：H10K30/15；该发明授权一种基于FTO/TiO₂：PEO/MAPbCl₃异质结的紫外探测器及其制备方法是由阮圣平;张宇鹏;翟艳男;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于FTO/TiO₂：PEO/MAPbCl₃异质结的紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于FTOTiO2：PEOMAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成，TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2：PEOMAPbCl3异质结光敏感层，待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结，增强内建电场，有效调节光敏层中电子传输的表面功函，降低活性层和电极之间的接触势垒，从而增强电子萃取能力，有效提高器件内部载流子的迁移效率，具有对紫外光有较高响应的优良效果。

本发明授权一种基于FTO/TiO₂：PEO/MAPbCl₃异质结的紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FTOTiO2：PEOMAPbCl3异质结的紫外探测器，其特征在于：从下到上由FTO衬底（1）、在FTO上生长的TiO2一维纳米棒阵列薄膜（2）、在TiO2纳米棒阵列薄膜上旋涂的PEO界面修饰层（3）、在PEO界面修饰层上旋涂的多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜（4）、在多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜上制备的Ag电极（5）组成，TiO2一维纳米棒阵列薄膜（2）、PEO界面修饰层（3）和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜（4）构成TiO2：PEOMAPbCl3异质结光敏感层，待测的紫外光从FTO衬底（1）一侧入射；其中，FTO衬底（1）的厚度为2~3mm，TiO2一维纳米棒阵列薄膜（2）的厚度为2~3μm，PEO界面修饰层（3）的厚度为20~30nm，多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜（4）的厚度为300~500nm，Ag电极的厚度为1~3mm。

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