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恭喜中国科学院深圳先进技术研究院申雪峰获国家专利权

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龙图腾网恭喜中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种酶修饰电化学电极及其制备方法与超薄镀酶装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115290735B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210997568.X,技术领域涉及:G01N27/327;该发明授权一种酶修饰电化学电极及其制备方法与超薄镀酶装置是由申雪峰;孙坚原;赵帅男;李超设计研发完成,并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种酶修饰电化学电极及其制备方法与超薄镀酶装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种酶修饰电化学电极及其制备方法与超薄镀酶装置,所述酶修饰电化学电极包括基体电极及基体电极表面的酶镀层;所述酶镀层的厚度为10nm~300nm,所述酶修饰电化学电极对惰性底物的检测范围为0.01μmolL~50mmolL。本发明所述酶修饰电化学电极的酶耗量较低,生产成本较低,利于大规模推广使用;所述酶修饰电化学电极的酶镀层厚度为纳米级,对底物的响应快,响应延迟时间为微秒级;所述酶修饰电化学电极的酶镀层对基体电极的尺寸改变很小,有利于酶修饰电化学电极在微米级与纳米级场景下的使用;所述酶修饰电化学电极的寿命较长且易保存。

本发明授权一种酶修饰电化学电极及其制备方法与超薄镀酶装置在权利要求书中公布了:1.一种超薄镀酶装置,其特征在于,所述超薄镀酶装置包括镀酶池及与镀酶池活动连接的镀酶池控制件;所述镀酶池控制件控制镀酶池在三维方向上移动;所述镀酶池包括保护壳,所述保护壳内设置有辅助电极槽,所述辅助电极槽内设置有含酶溶液,所述辅助电极槽上连接有辅助电极连接线;所述超薄镀酶装置还包括底板,所述镀酶池控制件固定设置于底板上;所述底板上还设置有工作电极控制件,工作电极的一端固定设置于工作电极控制件上,另一端置于镀酶池内;所述工作电极控制件控制工作电极在三维方向上移动;所述超薄镀酶装置基于以下制备方法进行:以基体电极为工作电极,与辅助电极构成二电极体系,在含酶溶液中进行电沉积,得到酶修饰电化学电极;所述酶修饰电化学电极包括基体电极及基体电极表面的酶镀层;所述酶镀层的厚度为10nm~300nm,所述酶修饰电化学电极对惰性底物的检测范围为0.01μmolL~50mmolL。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院深圳先进技术研究院,其通讯地址为:518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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