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龙图腾网恭喜豪威集成电路(成都)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210906351.3，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权半导体器件及其制作方法是由邢家明;戴辛志;肖海波;高喜峰;施喆天设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供堆叠晶圆，所述堆叠晶圆中的每层晶圆均包括层叠的半导体衬底和隔离层；在所述堆叠晶圆的划片道内形成沟槽，在所述沟槽中形成绝缘层和嵌设在所述绝缘层中的导电结构，所述导电结构沿所述堆叠晶圆的厚度方向从所述堆叠晶圆中的最顶层晶圆延伸到最底层晶圆；切割所述堆叠晶圆，切割每层所述晶圆产生的静电通过所述导电结构导走。本发明通过导电结构增加导电通道，导走顶层晶圆和中间晶圆的静电荷，降低白噪声，避免击穿晶圆上的静电环。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供堆叠晶圆，所述堆叠晶圆中的每层晶圆均包括层叠的半导体衬底和隔离层；在所述堆叠晶圆的划片道内形成沟槽，在所述沟槽中形成绝缘层和嵌设在所述绝缘层中的导电结构，所述导电结构沿所述堆叠晶圆的厚度方向从所述堆叠晶圆中的最顶层晶圆延伸到最底层晶圆；切割所述堆叠晶圆，切割每层所述晶圆产生的静电通过所述导电结构导走；其中，所述划片道包括多个沿第一方向延伸的第一划片道和多个沿第二方向延伸的第二划片道，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述导电结构包括在所述第一划片道内沿所述第一方向分布的第一导电条和从所述第一导电条延伸出的间隔分布的若干第一延伸部，所述第一延伸部沿所述第二方向分布；所述第一导电条和若干所述第一延伸部沿所述堆叠晶圆的厚度方向从所述堆叠晶圆中的所述最顶层晶圆延伸到所述最底层晶圆。

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