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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利一种金属互连结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210891240.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种金属互连结构及制备方法是由任杰;李乐;叶蕾;王峰;丁甲;黄永彬设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属互连结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属互连结构及制备方法，该制备方法包括步骤：于介质层上依次沉积金属材料层及光刻胶层；然后对光刻胶层图形化，以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀金属材料层形成金属层，金属层的顶角处为圆角形状；最后沉积第二介质层以包覆金属层。其中，采用干法刻蚀包括两个阶段，在第一阶段，通过减小刻蚀选择比来增强对光刻胶层的消耗，同时选择合适的刻蚀气体使光刻胶层的边缘形成为圆角形；在第二阶段，增大刻蚀选择比以增大对金属材料层的消耗，该阶段随着光刻胶层边缘的逐步内缩，使得被显露出的金属层也被逐步刻蚀，最终使得金属层的顶角处形成为圆角形状。从而避免了应力集中造成的裂纹等问题，提升器件的性能和使用寿命，提高稳定性。

本发明授权一种金属互连结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1：提供第一介质层，所述第一介质层中形成有金属插塞；S2：于所述介质层上依次沉积金属材料层及光刻胶层；S3：对所述光刻胶层图形化，以图形化的光刻胶层为掩膜干法刻蚀所述金属材料层形成与所述金属插塞电连接的金属层，所述金属层的顶角处为圆角形状；其中，所述步骤S3包括第一阶段及第二阶段；在第一阶段，通过减小刻蚀选择比来增强对所述光刻胶层的消耗，使所述光刻胶层的边缘处的厚度减薄为0，且形成相对高度自外边缘向内逐渐增加的圆角形，同时所述金属材料层未被所述光刻胶层覆盖区域的上部分也被去除；在第二阶段，通过增大刻蚀选择比增大对所述金属材料层的消耗，随着所述光刻胶层边缘的逐步内缩，使得被显露出的所述金属层也被逐步刻蚀，最终使得第一阶段形成的所述光刻胶层边缘的圆角形转移至所述金属层上，从而所述金属层的顶角处形成为圆角形状；S4：于所述第一介质层上沉积第二介质层以包覆所述金属层。

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