恭喜东南大学徐春祥获国家专利权
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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利基于GaN纳米带的F-P紫外激光器及制备和模式调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115296143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210872746.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权基于GaN纳米带的F-P紫外激光器及制备和模式调控方法是由徐春祥;董建奇;石增良设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于GaN纳米带的F-P紫外激光器及制备和模式调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaN纳米带的法布里‑珀罗紫外激光器及其制备方法以及激光模式调控方法。本发明提供的激光器包括：GaN纳米带、石英玻璃、铟粒，GaN纳米带通过铟粒固定在石英玻璃上；所述的GaN纳米带由GaN外延片依次经过紫外光刻、ICP干法刻蚀、电化学剥离制备而成。本发明还提供了一种激光模式调控方法，包括通过改变KOH溶液的湿法腐蚀时间，控制GaN纳米带的腔体尺寸，实现激光模式的调控。本发明公开的基于GaN纳米带的法布里‑珀罗紫外激光器，结构简单、制备方便，激光阈值低，品质因子高，具有优良的激光性能；本发明公开的激光模式调控方法，可快速实现稳定的单模激光输出，为高性能单模激光的制备提供了一定的技术支持。
本发明授权基于GaN纳米带的F-P紫外激光器及制备和模式调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN纳米带的F-P紫外激光器，其特征在于，包括GaN纳米带、石英玻璃、铟粒，GaN纳米带由ICP干法刻蚀制备而成，GaN纳米带通过铟粒固定在石英玻璃上；将独立的GaN纳米带浸入KOH溶液中，通过控制KOH溶液的湿法腐蚀时间，控制GaN纳米带的腔体尺寸，改变光学路径，实现激光模式的调控。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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