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龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210837410.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构及其制作方法、显示面板是由刘汉辰设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法、显示面板，半导体结构包括：基底；光阻层，形成在基底上且包括多个间隔部，相邻的两个间隔部通过间隔槽间隔开；间隔部包括相背设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面与第二侧面的一端与基底连接；间隔部的第一侧面及与间隔部相邻的另一间隔部的第二侧面为间隔槽的侧壁，从间隔槽内裸露出来的基底为间隔槽的底壁；及金属走线层，包括多条金属走线；一条金属走线与一个间隔槽位置相对，金属走线形成在间隔槽的底壁及侧壁上；间隔部的与基底接触的一端的尺寸大于间隔部的远离基底的一端的尺寸。本申请提供的半导体结构及其制作方法、显示面板能够在不改变现有曝光系统和材料前提下减小解析周期。

本发明授权半导体结构及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；光阻层，形成在所述基底上；所述光阻层包括多个间隔部，相邻的两个所述间隔部之间通过一间隔槽间隔开；所述间隔部包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面的一端与所述基底连接，所述第一侧面与所述第二侧面相背设置；一个所述间隔部的所述第一侧面及与所述间隔部相邻的另一所述间隔部的第二侧面为所述间隔槽的侧壁，从所述间隔槽内裸露出来的基底为所述间隔槽的底壁；及金属走线层，包括多条金属走线；一条所述金属走线与一个所述间隔槽位置相对，所述金属走线形成在一个所述间隔槽的所述底壁及所述侧壁上；其中，一个所述间隔部的与所述基底接触的一端的尺寸大于所述间隔部的远离所述基底的一端的尺寸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。