苏州璋驰光电科技有限公司冯英俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州璋驰光电科技有限公司申请的专利一种高品质因子的衬底材料、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210793113.6，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种高品质因子的衬底材料、制备方法及应用是由冯英俊;赵超;彭江龙设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高品质因子的衬底材料、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高品质因子的衬底材料、制备方法及应用，包括基板材料衬底，所述基板材料衬底上表面经重离子处理形成多晶硅层；氮化铝层，所述氮化铝层经混合、球磨、压制成型，预烧、冷静压烧结和高温烧结操作后，下表面经重离子处理形成多晶AlN层，所述多晶硅层上表面与所述多晶AlN层键合，形成键合剂层。该衬底材料能够在信号传输过程中，避免两种材料复合部分的信号截至或泄漏，以保持高质量的信号传输；同时两种不同的材料实现了不同信号波段的信号传输，过滤掉多余的信号，明显提高了器件的信号传输质量，改善了衬底材料的品质因子，且制备方法简化工艺，降低功耗，减少其它工艺使用化学试剂方面带来的环境的污染。
本发明授权一种高品质因子的衬底材料、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高品质因子的衬底材料，其特征在于，包括基板材料衬底，所述基板材料衬底上表面经重离子处理形成多晶硅层；氮化铝层，所述氮化铝层下表面经重离子处理形成多晶AlN层，所述多晶硅层上表面与所述多晶AlN层键合；所述衬底材料制备方法包括以下步骤：S1:准备基板材料衬底，注入重离子在基板材料衬底上表面产生多晶硅层；S2:在步骤S1注入工艺之后，对基板材料衬底进行退火处理；S3:将氮化铝粉末经压制成型后，在1600℃~1700℃、保温4h的气氛下烧结制备成氮化铝层；S4:将制备的硅基板和氮化铝层通过键合实现材料的复合；处理所述基板材料衬底的重离子为氩离子，处理所述氮化铝层的重离子为Fe7；步骤S4中，键合方式是通过键合胶来实现，所述键合胶为碳和氢组成的长链有机聚合物组成；所述基板材料衬底为硅或氧化硅；所述退火处理条件为250℃-300℃，保温时间0.5-3h。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州璋驰光电科技有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山开发区景德路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号