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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利Si-GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210782463.2，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权Si-GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法是由陆可睿;秦飞飞;朱刚毅;纪鑫设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本Si-GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Si‑GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、N型氮化镓层，量子井层，P型氮化镓层和设置在氮化镓层上表面的电极。悬臂梁和两侧电极支架构成器件主体，电极结构则采用悬臂梁配合电极正下方支撑体的结构。本发明在硅衬底上的氮化物材料上，利用光刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺，实现两侧引脚支持结构的上下分层，以达到控制电流导通的目的，并用蒸镀方法制备Au电极结构。本发明在光激发条件下通过光谱仪对出射激光进行光谱分析协同电源对电流的调节引入焦耳热构成负反馈机制，实现对出射激光的模式的调控。

本发明授权Si-GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种Si-GaN悬空波导单模激光器，其特征在于，包括第一引脚电极（1）、第二引脚电极（2）、悬臂梁电极（3）和硅衬底（13），所述第一引脚电极（1）通过第一支撑结构设于硅衬底（13）上，所述第二引脚电极（2）通过第二支撑结构设于硅衬底（13）上，所述第一支撑结构和第二支撑结构之间设有悬臂梁，所述悬臂梁电极（3）设于所述悬臂梁上，所述悬臂梁电极（3）连接所述第二引脚电极（2）；所述第一支撑结构包括：第一引脚支撑N型氮化镓层（9）和第一硅柱（11）；所述第一硅柱（11）设于所述硅衬底（13）上，所述第一引脚支撑N型氮化镓层（9）设于所述第一硅柱（11）上，所述第一引脚电极（1）设于所述第一引脚支撑N型氮化镓层（9）上；所述第二支撑结构包括：第二引脚支撑P型氮化镓层（4）、第二引脚支撑量子井层（5）、第二引脚支撑N型氮化镓层（6）和第二硅柱（12）；所述第二硅柱（12）设于所述硅衬底（13）上，所述第二引脚支撑N型氮化镓层（6）设于第二硅柱（12）上，所述第二引脚支撑量子井层（5）设于所述第二引脚支撑N型氮化镓层（6）上，所述第二引脚支撑P型氮化镓层（4）设于所述第二引脚支撑量子井层（5）上，所述第二引脚电极（2）设于所述第二引脚支撑P型氮化镓层（4）上；所述悬臂梁包括：悬臂梁支撑P型氮化镓层（7）和悬臂梁N型氮化镓层（8）；所述悬臂梁N型氮化镓层（8）一端连接所述第一引脚支撑N型氮化镓层（9），另一端连接所述第二引脚支撑N型氮化镓层（6），所述悬臂梁支撑P型氮化镓层（7）设于所述悬臂梁N型氮化镓层（8）上，所述悬臂梁支撑P型氮化镓层（7）连接所述第二引脚支撑P型氮化镓层（4），所述悬臂梁电极（3）设于所述悬臂梁支撑P型氮化镓层（7）上，所述悬臂梁电极（3）连接所述第二引脚电极（2）。

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