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龙图腾网恭喜复旦大学;复旦大学义乌研究院申请的专利一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210775763.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法是由田朋飞;袁泽兴;崔旭高;顾而丹设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaNGaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGaNGaN多量子阱有源区包括交错堆叠的GaN量子势垒层和InGaN量子阱层，InGaNGaN多量子阱有源区和n型GaN层之间设置有第一二维材料层，相邻GaN量子势垒层和InGaN量子阱层之间均穿插有第二二维材料层，InGaNGaN多量子阱有源区和p型AlGaN电子阻挡层之间设置有第三二维材料层。本申请具有阻挡穿透位错的生长还可以降低量子势垒层与量子阱层之间的晶格失配，进而减弱微型LED器件的极化电场，提高电子空穴的空间重叠率，从而提升微型LED器件的调制带宽以及发光效率的效果。

本发明授权一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构，包括外延衬底（1），所述外延衬底（1）上依次生长有GaN缓冲层（3）、n型GaN层（4）、InGaNGaN多量子阱有源区（8）、p型AlGaN电子阻挡层（13）和p型GaN层（14），其特征在于：所述InGaNGaN多量子阱有源区（8）包括交错堆叠的GaN量子势垒层（9）和InGaN量子阱层（10），所述InGaNGaN多量子阱有源区（8）和n型GaN层（4）之间设置有二维材料层，相邻所述GaN量子势垒层（9）和InGaN量子阱层（10）之间均穿插有二维材料层，所述InGaNGaN多量子阱有源区（8）和p型AlGaN电子阻挡层（13）之间设置有二维材料层，所述外延衬底（1）和GaN缓冲层（3）之间设置有另一二维材料层，所述另一二维材料层和n型GaN层（4）之间设置有二维材料薄膜（5），所述二维材料薄膜（5）和所述n型GaN层（4）上均开设有图案化孔（6）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学;复旦大学义乌研究院，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。