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恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司胡俊艳获国家专利权

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龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板和显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115064115B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210773811.X,技术领域涉及:G09G3/32;该发明授权显示面板和显示装置是由胡俊艳;戴超设计研发完成,并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

显示面板和显示装置在说明书摘要公布了:本申请提供一种显示面板和显示装置;该显示面板通过使复位信号线和低电位信号线中的至少一个的至少部分位于栅极驱动电路区,则至少可以减小复位信号线和低电位信号线设置在栅极驱动电路区的部分占用的面积,减小该部分需要的边框的宽度,从而减小了显示面板的边框,且该方案无需将栅极驱动电路设置在发光单元上,减小显示面板制备的工艺难度,提高显示面板的良率。

本发明授权显示面板和显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区,所述显示区设有像素发光单元和控制所述像素发光单元的像素驱动电路;非显示区,位于所述显示区外围,所述非显示区包括栅极驱动电路区,所述非显示区设有复位信号线和低电位信号线;其中,所述复位信号线连接至所述像素驱动电路,所述低电位信号线与像素发光单元连接,所述栅极驱动电路区设有栅极驱动电路,所述复位信号线和所述低电位信号线中的至少一个的至少部分设置于所述栅极驱动电路区,且所述复位信号线和所述低电位信号线与所述栅极驱动电路绝缘设置;所述显示面板包括:衬底、半导体层、第一金属层、第二金属层、第一源漏极层和第二源漏极层,所述半导体层设置于所述衬底一侧;所述第一金属层设置于所述半导体层远离所述衬底的一侧;所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述半导体层的一侧;所述第一源漏极层设置于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧;所述第二源漏极层设置于所述第一源漏极层远离所述第二金属层的一侧;其中,所述栅极驱动电路包括晶体管和电容,所述晶体管包括栅极、源极和漏极,所述电容包括电容极板,所述栅极设置于所述第一金属层,所述电容极板设置于所述第二金属层,所述源极和所述漏极设置于所述第一源漏极层,所述复位信号线和所述低电位信号线中的至少部分与所述栅极驱动电路中的位于所述第一金属层、第二金属层、第一源漏极层和第二源漏极层的金属异层设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司,其通讯地址为:430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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