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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115130306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762682.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统是由李兴冀;荆宇航;杨剑群;刘中利;魏亚东设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。

本发明授权半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法，其特征在于，包括：步骤S1，获取入射粒子辐射半导体器件后产生的PKA的信息；步骤S2，对所述半导体器件进行网格划分，获取含有所述PKA的网格，并统计所述网格中的PKA信息；步骤S3，建立与所述网格等大小的体系模型；所述建立与所述网格等大小的体系模型包括：建立与所述网格等大小的纯硅模型，并向所述纯硅模型引入掺杂元素，所述掺杂元素包括C、O、B和P元素中的至少一种；步骤S4，基于所述体系模型，将所述网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得分子动力学时间尺度下的稳态结构；步骤S5，获取所述稳态结构中的缺陷信息，并将所述稳态结构中的缺陷信息作为动力学蒙特卡罗方法的输入文件，继续进行缺陷演化模拟，输出最终稳定态结构；步骤S6，统计所述最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息。

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