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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210770344.5，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法是由李兴冀;应涛;杨剑群;刘中利;吕钢设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法，包括以下步骤：测量待测半导体器件的厚度，并确认其材料属性；在Geant4环境中，根据步骤S1得到的参数构建所述半导体器件的结构模型；选择不同辐射粒子入射所述结构模型，并计算得到总的正电荷量以及单位距离上的电子空穴对数量；通过Geant4计算发生电离的位置，并计算其平均值，将所述平均值作为可调参数b；将所述电子空穴对数量和所述可调参数b代入Jaffe电子空穴对复合公式，计算不同电场强度条件下的电子空穴对产额。本发明提供的电子空穴对产额的计算方法，步骤简单，易于操作，能够大幅度降低试验的成本，且计算效率较高，对半导体器件损伤和空间环境模拟研究具有重大意义。

本发明授权一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、测量待测半导体器件的厚度，并确认其材料属性；步骤S2、在Geant4环境中，根据步骤S1得到的参数构建所述半导体器件的结构模型；步骤S3、选择不同辐射粒子入射所述结构模型，并计算得到总的正电荷量以及单位距离上的电子空穴对数量；步骤S4、通过Geant4计算发生电离的位置，并计算其平均值，将所述平均值作为可调参数b；步骤S5、将所述电子空穴对数量和所述可调参数b代入Jaffe电子空穴对复合公式，计算不同电场强度条件下的电子空穴对产额；所述步骤S2中，根据步骤S1得到的参数将所述半导体器件简化为平行平板的结构模型；所述半导体器件的材质包括二氧化硅；所述步骤S3中，通过对所述结构模型进行能量沉积计算，然后将能量沉积除以所述结构模型的厚度，得到LET值，然后通过下述公式得到总的正电荷量以及单位距离上的电子空穴对数量： 其中，为单位路径上的能量损失，18ev为二氧化硅材料电子空穴对的产生的最小能量，θ为入射粒子与电场的夹角，lox为二氧化硅氧化层厚度，1.6×10-19coulombhole代表每个空穴带的电荷量为1.6×10-19库伦。

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