恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学陈鲲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学申请的专利用于GAA器件的沟道结构以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751556.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于GAA器件的沟道结构以及制备方法是由陈鲲;杨静雯;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于GAA器件的沟道结构以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于GAA器件的沟道结构，包括：衬底；形成于所述衬底上的第一区域的第一应力结构层；以及沟道叠层；所述沟道叠层形成于所述第一应力结构层和所述衬底的第二区域上；其中，所述第一区域为用于形成NMOS器件的区域，所述第二区域为用于形成PMOS器件的区域；所述第一应力结构层用于提供第一区域的所述沟道叠层所需的应力。解决了NMOS器件的区域的源区和漏区难以提供沟道叠层所需的高应力的问题，实现了NMOS器件的区域的应力提供的成功率提高的效果。
本发明授权用于GAA器件的沟道结构以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于GAA器件的沟道结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的第一区域的第一应力结构层；以及沟道叠层；所述沟道叠层形成于所述第一应力结构层和所述衬底的第二区域上；其中，所述第一区域为用于形成NMOS器件的区域，所述第二区域为用于形成PMOS器件的区域；所述第一应力结构层用于提供第一区域的所述沟道叠层所需的应力；第二应力结构层；所述第二应力结构层形成于所述衬底的所述第二区域上，且位于所述衬底与所述沟道叠层之间；其中，所述第二应力结构层用于提供所述第二区域的所述沟道叠层所需的应力；所述第一应力结构层的材料为SiC，所述第二应力结构层的材料为SiGe。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号401-23室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号