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龙图腾网恭喜成都信息工程大学;四川文理学院申请的专利一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115267470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210719309.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法是由李继涛;杨定宇;朱兴华;田海波;贾浩铎;唐鑫设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，属于太赫兹探测器设计技术领域，包括如下步骤：构造全介质基底；获取单层石墨烯，并基于全介质基底构造单层石墨烯太赫兹热电探测器；利用X偏振太赫兹波验证单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到温差电势和光电压信号；所述全介质基底由一个无任何图形的完整区域和一个特定图形化的超表面区域构成，超表面局域增强了石墨烯对太赫兹波的吸收，形成温差电势；本发明提供的探测器结构简单，不需要传统对称电极热电探测器对入射光斑位置进行精确操控，也不涉及到不对称电极热电探测器复杂的电极制备工艺。本发明受到“中央引导地方科技发展项目编号：2021ZYD0039”支持。

本发明授权一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法在权利要求书中公布了：1.一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、构造全介质基底；S2、获取单层石墨烯，并基于全介质基底构造单层石墨烯太赫兹热电探测器；S3、利用X偏振太赫兹波验证单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到温差电势和光电压信号；所述步骤S1包括如下步骤：S11、利用紫外固化胶将高阻硅粘合于石英上，得到初始全介质基底；S12、刻蚀高阻硅，得到全介质基底；所述全介质基底包括具有完整高阻硅的第一区域和具有图形化超表面阵列的第二区域；所述第二区域由20×20个元胞构成；各所述元胞的结构均为一个椭圆两端均被切割半圆切割后的不完整椭圆条；所述步骤S2包括如下步骤：S21、通过化学气相沉积法将单层石墨烯沉积到铜衬底上侧；S22、将铜衬底上的单层石墨烯转移到全介质基底上侧；S23、分别蒸镀第一金属电极和第二金属电极至单层石墨烯表面的两端，得到单层石墨烯太赫兹热电探测器；所述步骤S3包括如下步骤：S31、将频率为1.2THz的X偏振太赫兹波从底部入射进单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到第一区域的太赫兹能量吸收率和第二区域的太赫兹能量吸收率；S32、分别将电压表和电流表均分别接入第一金属电极和第二金属电极，得到第一金属电极电信号和第二金属电极电信号；S33、判断第一区域的太赫兹能量吸收率是否小于第一预设太赫兹能量吸收率阈值，若是则进入步骤S34，否则返回步骤S1；S34、判断第二区域的太赫兹能量吸收率是否大于第二预设太赫兹能量吸收率阈值，若是则进入步骤S35，否则返回步骤S1；S35、基于第一区域的太赫兹能量吸收率和第二区域的太赫兹能量吸收率，并归一化第一金属电极电信号和第二金属电极电信号，得到温差电势和光电压信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都信息工程大学;四川文理学院，其通讯地址为：610225 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。