恭喜上海华力集成电路制造有限公司陆神洲获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利RRAM的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210395917.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权RRAM的制造方法是由陆神洲;王平设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本RRAM的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种RRAM的制造方法包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成金属下电极材料层。步骤二、在金属下电极材料层表面形成第一材料层，第一材料层的材料为第一金属的氮化物。步骤三、对第一材料层进行退火氧化，使第一材料层分成被氧化的顶层以及未被氧化的底层，第一材料层的顶层的材料转换为第一金属的氧化物并作为阻变材料层；由底层作为底部阻挡层。步骤四、在阻变材料层的顶部形成金属上电极材料层。本发明能形成具有氧含量渐变分布的阻变材料阻挡层，且工艺简单、易于控制以及工艺成本低。
本发明授权RRAM的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种RRAM的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成金属下电极材料层；步骤二、在所述金属下电极材料层表面形成第一材料层，所述第一材料层的材料为第一金属的氮化物；步骤三、对所述第一材料层进行退火氧化，所述退火氧化使所述第一材料层分成被氧化的顶层以及未被氧化的底层，所述第一材料层的顶层的材料转换为所述第一金属的氧化物；由所述第一材料层的底层作为底部阻挡层，由所述第一材料层的顶层作为阻变材料层；利用所述退火氧化的性质，使所述阻变材料层的氧含量具有从顶部到底部梯度降低的分布结构；步骤四、在所述阻变材料层的顶部形成金属上电极材料层，由所述金属下电极材料层、所述底部阻挡层、所述阻变材料层和所述金属上电极材料层叠加形成RRAM的三明治结构。
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