恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114527587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210099645.X，技术领域涉及：G02F1/11；该发明授权一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法是由欧欣;伊艾伦设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法，其中，一种声光耦合衬底，包括依次层叠设置的衬底层、介质层、声学层和光学层：衬底层的材料包括硅；介质层的材料包括二氧化硅；声学层的材料包括高质量氮化铝，高质量是指在X射线衍射测试中，晶向半高宽小于150弧秒；光学层的材料包括碳化硅。本声光耦合衬底、器件通过直接键合形成，改善了目前利用离子束技术制备硅基碳化硅薄膜的离子损伤的问题，同时实现了硅基高单晶质量的声学器件层和光学器件层的晶圆级异质集成。
本发明授权一种声光耦合衬底、器件及器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种声光耦合器件制备方法，其特征在于，包括：获得声光耦合衬底；所述声光耦合衬底包括依次层叠设置的衬底层（1）、介质层（2）、声学层（3）和光学层（4）；将所述光学层（4）刻蚀为波导（41）和谐振腔（42）；在所述声学层（3）上开设多个贯穿所述声学层（3）的通孔（31），多个所述通孔（31）按预设形状排列；通过多个所述通孔（31）对所述介质层（2）进行湿法腐蚀，使得所述预设形状内的所述声学层（3）悬空；在悬空的所述声学层（3）远离所述介质层（2）的一侧制备叉指电极（32），得到声光耦合器件；其中，所述波导（41）和所述谐振腔（42）构成所述声光耦合器件的光学器件部分，悬空的所述声学层（3）和所述叉指电极（32）构成所述声光耦合器件的声学器件部分。
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