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龙图腾网恭喜力旺电子股份有限公司申请的专利多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210038378.5，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列是由陈志欣;罗俊元;王世辰设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列在说明书摘要公布了：本发明为一种多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列。在本发明的存储器胞中，设计出一条双向路径使得电子注入浮动栅极与退出浮动栅极皆通过相同的栅极端氧化层，使得存储器胞有较高的数据保存可靠度dataretentionreliability与耐久性可靠度endurancereliability。另外，本发明更在存储器胞中设计核心元件coredevice的晶体管，并运用于读取操作，用以降低存储器胞的读取电压。

本发明授权多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列在权利要求书中公布了：1.一种多次编程非易失性存储器的存储器胞阵列，该存储器胞阵列包括第一存储器胞，该第一存储器胞包括：第一井区；第二井区；第一栅极结构，覆盖于该第一井区与该第二井区；第二栅极结构，覆盖于该第一井区；第三栅极结构，覆盖于该第二井区；第一掺杂区，位于该第一井区中，该第一栅极结构的第一侧；第二掺杂区，位于该第一井区中，该第一栅极结构的第二侧与该第二栅极结构的第一侧之间；第三掺杂区，位于该第一井区中，该第二栅极结构的第二侧；第四掺杂区，位于该第二井区中，该第一栅极结构的该第一侧；第五掺杂区，位于该第二井区中，该第一栅极结构的该第二侧与该第三栅极结构的第一侧之间；第六掺杂区，位于该第二井区中，该第三栅极结构的第二侧；第一金属连接线，连接至该第一掺杂区；第二金属连接线，连接至该第二栅极结构；第三金属连接线，连接至该第三栅极结构；第四金属连接线，连接至该第一井区；第五金属连接线，连接至该第三掺杂区，且该第五金属连接线连接至该第四金属连接线；第六金属连接线，连接至该第二井区；以及第七金属连接线，连接至该第六掺杂区，且该第七金属连接线连接至该第六金属连接线；其中，该第一井区、该第一掺杂区、该第二掺杂区与该第一栅极结构形成第一晶体管；该第一井区、该第二掺杂区、该第三掺杂区与该第二栅极结构形成第二晶体管；该第二井区、该第四掺杂区、该第五掺杂区与该第一栅极结构形成第三晶体管且该第三晶体管的栅极端连接至浮动栅极；以及，该第二井区、该第五掺杂区、该第六掺杂区与该第三栅极结构形成第四晶体管；其中，该第一晶体管的信道长度长于该第三晶体管的信道长度；其中，在编程操作时，电子经由该第三晶体管的栅极端氧化层注入该浮动栅极；以及，在抹除操作时，电子由该浮动栅极经由该第三晶体管的该栅极端氧化层退出至该第三晶体管的体极端。

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