恭喜武汉大学王度获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利可调谐太赫兹吸波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638426.6，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权可调谐太赫兹吸波器是由王度;崔恩康;雷诚;严若鹏;赵爽;刘胜设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本可调谐太赫兹吸波器在说明书摘要公布了：本发明提供一种可调谐太赫兹吸波器，包括衬底层以及固定在衬底层上的薄膜层；其中，衬底层，在所述衬底层上开设有相互独立的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽通过流道连通，在所述第二凹槽内加工成型有超表面阵列结构，在第一凹槽中注入具有所需介电常数的液体，液体通过流道流入到第二凹槽中；薄膜层，其密封在衬底层上以使得第一凹槽和第二凹槽形成为封闭的腔体，所述超表面阵列结构与所述薄膜层之间具有间距。本发明解决了现有吸波器吸收特性固定不可调的问题，实现太赫兹吸波器的吸收峰频点与吸收率实时调节的功能。
本发明授权可调谐太赫兹吸波器在权利要求书中公布了：1.一种可调谐太赫兹吸波器，其特征在于，包括衬底层以及固定在衬底层上的薄膜层；其中，衬底层，在所述衬底层上开设有相互独立的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽通过流道连通，在所述第二凹槽内加工成型有超表面阵列结构，在第一凹槽中注入具有所需介电常数的液体，液体通过流道流入到第二凹槽中；薄膜层，其密封在衬底层上以使得第一凹槽和第二凹槽形成为封闭的腔体，所述超表面阵列结构与所述薄膜层之间具有间距。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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