恭喜意法半导体有限公司吴邕辉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜意法半导体有限公司申请的专利用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539324.9，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层是由吴邕辉;阮文征;F·塔希尔;D·阿德南;唐文杰;M·G·卡斯托里纳设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层。一种集成电路器件包括金属接触部和钝化层，钝化层在金属接触部的侧壁上以及在金属接触部的顶面的第一和第二表面部分上延伸。钝化层由包括以下项的层堆叠构成：原硅酸四乙酯TEOS层；TEOS层顶部上的磷掺杂TEOSPTEOS层；以及位于PTEOS层顶部上的富硅氮化物层。TEOS和PTEOS层在金属接触部的顶面的第一表面部分之上延伸，但不在第二表面部分之上延伸。富硅氮化物层在第一和第二表面部分之上延伸，并与第二表面部分接触。
本发明授权用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括：具有顶面的金属接触部，所述金属接触部的所述顶面包括第一表面部分、第二表面部分和第三表面部分；以及钝化层，在所述金属接触部的所述顶面的所述第一表面部分和所述第二表面部分上延伸；其中所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠包括：原硅酸四乙酯TEOS层；在所述TEOS层顶部上的磷掺杂TEOSPTEOS层；和在所述PTEOS层顶部上的高密度富硅氮化物层；其中所述TEOS层和所述PTEOS层在所述金属接触部的所述顶面的所述第一表面部分之上延伸，但不在所述金属接触部的所述顶面的所述第二表面部分和所述第三表面部分之上延伸；以及其中所述高密度富硅氮化物层在所述金属接触部的所述顶面的所述第一表面部分和所述第二表面部分之上延伸，但不在所述金属接触部的所述顶面的所述第三表面部分之上延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体有限公司，其通讯地址为：新加坡城；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号