恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司罗传宝获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111491826.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权驱动基板及其制备方法、显示面板是由罗传宝设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种驱动基板及其制备方法、显示面板。所述驱动基板包括依次设置的基底、氧化物半导体层、刻蚀阻挡层以及水氧阻隔层；所述氧化物半导体层包括沟道；所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。本申请在提高TFT器件水氧阻隔性能的同时，降低了TFT器件产生负漂的几率。
本发明授权驱动基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种驱动基板，其特征在于，包括：基底；氧化物半导体层，设置在所述基底上，所述氧化物半导体层包括沟道和位于所述沟道相对两侧的源极部和漏极部；栅极，设置在所述基底和所述氧化物半导体层之间；刻蚀阻挡层，设置在所述氧化物半导体层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；图案化的水氧阻隔层，设置在所述刻蚀阻挡层上，所述水氧阻隔层覆盖所述刻蚀阻挡层并裸露出所述源极部和所述漏极部，所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠，所述水氧阻隔层覆盖所述沟道；以及源极和漏极，设置在所述水氧阻隔层远离所述刻蚀阻挡层的一侧，所述源极与所述源极部连接并覆盖所述水氧阻隔层的一端部，所述漏极与所述漏极部连接并覆盖所述水氧阻隔层的另一端部；自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度等于所述刻蚀阻挡层的宽度且小于所述水氧阻隔层的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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