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龙图腾网恭喜成都中浦石墨烯应用技术有限公司;北京远大信达科技有限公司申请的专利碳化硅衬底晶片的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111348350.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权碳化硅衬底晶片的清洗方法是由翟虎;刘宇;宋亚滨;姜宇;孙金梅;徐进;陆继波设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅衬底晶片的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片加工技术，公开了一种碳化硅衬底晶片的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：步骤S1、将碳化硅衬底晶片浸入有机溶剂中进行第一超声清洗后，进行第一表面残余清洗；步骤S2、将步骤S1处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入复合清洗剂中进行第二超声清洗，然后进行第二表面残余清洗；步骤S3、将步骤S2处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入酸液中进行第三超声清洗，再进行第三表面残余清洗和干燥处理。本发明提供的清洗方法对碳化硅衬底晶片的清洁效果好、清洗时间短，有利于提高晶片的良率、延长药液的使用寿命。

本发明授权碳化硅衬底晶片的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底晶片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、将碳化硅衬底晶片浸入有机溶剂中进行第一超声清洗后，进行第一表面残余清洗；所述有机溶剂为低级有机醇，所述低级有机醇为甲醇、乙醇、正丙醇和异丙醇中的至少一种，所述第一超声清洗的条件包括：超声频率为20-40KHz，循环滤芯＜0.5μm，浸泡时间为15-35s，所述第一表面残余清洗的条件包括：在快排冲洗槽中进行，冲洗时间为3-6min，排水时间为2-5s；步骤S2、将步骤S1处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入复合清洗剂中进行第二超声清洗，然后进行第二表面残余清洗；所述复合清洗剂含有碱、氧化剂和水，所述碱为氨水，所述氧化剂为过氧化氢，所述复合清洗剂中碱、氧化剂和水的摩尔比为1：1-3.5：10-100，所述第二超声清洗的条件包括：温度为7-12℃，超声频率为50-100KHz，循环滤芯＜0.5μm，浸泡时间为30-60s，所述第二表面残余清洗的条件包括：在快排冲洗槽中进行，冲洗时间为3-6min，排水时间为2-5s；步骤S3、将步骤S2处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入酸液中进行第三超声清洗，然后进行第三表面残余清洗和干燥处理；所述酸液选自盐酸溶液、硫酸溶液和硝酸溶液中的至少一种，所述酸液中H+的浓度为1.2-3molL，所述第三超声清洗的条件包括：超声频率为50-100KHz，循环滤芯＜0.5μm，浸泡时间为10-30s，所述第三表面残余清洗的条件包括：在快排冲洗槽中进行，冲洗时间为3-6min，排水时间为2-5s。

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