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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利FinFET中单扩散区切断结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111353878.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权FinFET中单扩散区切断结构的制造方法是由李勇设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本FinFET中单扩散区切断结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FinFET中单扩散区切断结构的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成多个鳍体；步骤二、定义出SDB结构的形成区域并进行刻蚀形成第一凹槽；步骤三、在第一凹槽中填充第一介质层；步骤四、进行鳍体截断工艺，在鳍体截断工艺中，第一介质层对第一凹槽两侧的鳍体材料进行保护并防止产生损耗；步骤五、形成浅沟槽隔离；步骤六、对浅沟槽隔离进行回刻使各鳍体的顶部区段露出；步骤七、在栅极结构的形成区域形成第一栅介质层和多晶硅栅；步骤八、在多晶硅栅两侧的鳍体中形成嵌入式外延层。本发明能简化SDB的形成工艺的条件下同时防止SDB凹槽两侧的鳍体材料产生损耗，从而能同时使嵌入式外延层的质量得到保证。

本发明授权FinFET中单扩散区切断结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET中单扩散区切断结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成多个鳍体，各所述鳍体之间具有间隔区；步骤二、定义出单扩散区切断结构的形成区域，对所述单扩散区切断结构的形成区域的所述鳍体进行刻蚀形成第一凹槽；步骤三、在所述第一凹槽中填充第一介质层；步骤四、进行鳍体截断工艺将鳍体截断区域中的所述鳍体去除，在所述鳍体截断工艺中，所述第一介质层对所述第一凹槽两侧的所述鳍体材料进行保护并防止所述第一凹槽两侧的所述鳍体的材料产生损耗；步骤五、形成浅沟槽隔离将保留的各所述鳍体之间的间隔区完全填充；步骤六、对所述浅沟槽隔离进行回刻使各所述鳍体的顶部区段露出；所述第一凹槽中的所述第一介质层的顶部表面也回刻到位于所述鳍体的顶部表面之下，由回刻后填充于所述第一凹槽中的所述第一介质层组成所述单扩散区切断结构；步骤七、在栅极结构的形成区域形成第一栅介质层和多晶硅栅的叠加结构，在所述单扩散区切断结构也形成一个对应的所述多晶硅栅，在所述单扩散区切断结构之间的所述多晶硅栅覆盖在所述鳍体的顶部表面和侧面；步骤八、在所述多晶硅栅两侧的所述鳍体中形成嵌入式外延层，利用所述第一凹槽两侧的所述鳍体材料未被损耗的特性提高在所述第一凹槽两侧形成的所述嵌入式外延层的质量。

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