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龙图腾网恭喜上海空间推进研究所申请的专利基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114239333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111322100.2，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法及系统是由于博;徐亚男;余水淋;刘佳;李林;田雷超;杭观荣设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法及系统，适用于等离子体环境下带电表面之间的空间电阻计算。所述方法基于将等离子体空间等效成多通道电路，以带电表面之间的电场线和等势面来划分计算域的网格，即将计算域离散成多条空间通道，每条通道再离散为多个微元通道体。接着，计算各微元通道体的电阻率和电阻，再通过各个微元通道体之间的串联或并联关系来计算带电表面之间的空间等离子体电阻。本发明的计算速度较高，可计算空间等离子体环境下带电表面之间的导电程度及导通电流。

本发明授权基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于多通道离散的空间等离子体电阻3D计算方法，其特征在于，包括如下步骤：通道划分步骤：将等离子体空间等效成多通道电路，再将多通道电路划分为若干个微元通道体；微元通道体电阻率和电阻计算步骤：计算各个微元通道体的电阻率和电阻；空间电阻计算步骤：根据各个微元通道体之间的串联或并联关系来计算带电表面之间的空间电阻；当微元通道体的空间位置确定后，求解该微元通道体的电阻： 其中，ρi,j,m为该微元通道体的电阻率，li,j,m为微元通道体的长度，Ai,j,m为微元通道体的面积，li,j,m由两个端面的中心点距离表征，Ai,j,m由两个端面面积的平均值表征； 其中，Z为离子带电荷数量，m为电子质量，lnΛ为库伦对数，ε0为真空介电常数，kB为玻尔兹曼常数，Ti,j,m为当地等离子体温度； 其中，ni,j,m为当地等离子体数密度，当计算域所有微元通道体的电阻获得求解后，每条通道的电阻由所有微元通道体电阻串联组成，设一个通道含有n个微元通道体，每条通道的电阻求解如下： 空间电阻求解如下： 所述通道划分步骤包括：离散设置步骤：设置第一带电表面和第二带电表面电压，将第一带电表面离散为多个表面节点；空间电场线分布求解步骤：根据第一带电表面和第二带电表面之间的电场强度分布数据，求解出空间电场线分布；微元通道体设定步骤：每相邻的4个电场线所包围成的弧柱体设定为空间通道，一根弧柱体被若干等势面所分割的小柱体则设定为微元通道体。

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