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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利一种MEMS谐振器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113872545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111184562.2，技术领域涉及：H03H3/007；该发明授权一种MEMS谐振器制备方法是由杨晋玲;刘文立;朱银芳;杨富华设计研发完成，并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS谐振器制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器。在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义谐振结构、电极、电容间隙及封装环，并将埋氧层作为牺牲层，释放后使得谐振结构悬空；工艺流程简单可靠，提高MEMS谐振器的成品率。

本发明授权一种MEMS谐振器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；在所述顶硅层上生长一层热氧层，并采用湿法腐蚀去除所述热氧层；自所述电容间隙，采用HF腐蚀谐振器侧壁的SiO2，并腐蚀去除器件底部处于所述谐振结构下的所述埋氧层，构成电容间隙并使器件悬空；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器，其中，制备封装盖片的步骤包括：获取硅基片，对应所述输入电极与所述输出电极，在所述硅基片上设置两个硅柱垂直引线以及同轴屏蔽层；所述硅基片包括呈相对设置的封装面以及显露面，在所述封装面制备形成封装空腔，在所述显露面生长绝缘层并图形化，其中，所述封装空腔处于两个所述硅柱垂直引线之间；在所述显露面制备面内引线以及电信号施加焊盘，在所述封装面对应所述封装环以及硅柱垂直引线分别制备封装焊盘以及垂直引线焊盘。

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